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Veröffentlichter Artikel oder Aufsatz

Publikationsart: Veröffentlichter Artikel oder Aufsatz
Autor(en): Peter Hermann; Arne Hoehl; Georg Ulrich; Claudia Fleischmann; Antje Hermelink; Bernd Kästner; Piotr Patoka; Andrea Hornemann; Burkhard Beckhoff; Eckart Rühl; Gerhard Ulm
Titel: Characterization of semiconductor materials using synchrotron radiation-based near-field infrared microscopy and nano-FTIR spectroscopy
Erschienen in: Optics Express 22 (15) , 2014
S. 17948-17958
Verlag: Optical Society of America
Verlagshinweis: This paper was published in Optics Express and is made available as an electronic reprint with the permission of OSA. The paper can be found at the following URL on the OSA website: http://www.opticsinfobase.org/oe/abstract.cfm?uri=oe-22-15-17948. Systematic or multiple reproduction or distribution to multiple locations via electronic or other means is prohibited and is subject to penalties under law.
Verlags-URL: http://www.opticsinfobase.org/oe/
DOI: 10.1364/OE.22.017948
Veröffentlichung auf edoc: 26.01.2015
Status: published
Volltext: pdf (urn:nbn:de:0257-10038554)
Vorhaben/Arbeitsgruppe: Robert Koch-Institut, Biologische Sicherheit
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Abstract (eng):
We describe the application of scattering-type near-field optical microscopy to characterize various semiconducting materials using the electron storage ring Metrology Light Source (MLS) as a broadband synchrotron radiation source. For verifying high-resolution imaging and nano-FTIR spectroscopy we performed scans across nanoscale Si-based surface structures. The obtained results demonstrate that a spatial resolution below 40 nm can be achieved, despite the use of a radiation source with an extremely broad emission spectrum. This approach allows not only for the collection of optical information but also enables the acquisition of near-field spectral data in the mid-infrared range. The high sensitivity for spectroscopic material discrimination using synchrotron radiation is presented by recording near-field spectra from thin films composed of different materials used in semiconductor technology, such as SiO2, SiC, SixNy, and TiO2.
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Generiert am 21.09.2017, 07:27:05